RF 반도체 전문 기업 베렉스(대표 장명상)는 ‘서보 루프 바이어싱 구조를 적용한 RF 전력 증폭기’ 기술에 대해 2025년 12월 30일 국내 특허 등록을 완료했다고 밝혔다.

이번 특허는 서브마이크론 CMOS 공정 환경에서 RF 전력 증폭기의 바이어스 안정성을 향상시키는 기술로, RF 프런트엔드 모듈에서 발생하던 성능 편차 문제를 효과적으로 개선한 것이 특징이다. 기존 전류 미러 방식의 바이어싱 구조가 공정, 전압, 온도 변화에 따라 민감하게 반응하던 한계를 극복해, 다양한 무선 통신 환경에서도 균일하고 신뢰도 높은 RF 동작을 가능하게 했다.

해당 기술은 기준 스테이지와 복사 스테이지의 드레인 전압을 동일하게 유지하는 피드백 기반 구조를 채택했다. 이를 통해 채널 길이 변조로 인해 발생하는 전류 불일치를 억제하고, 전류 복사 비율이 트랜지스터 크기 비율에 의해 안정적으로 결정되도록 설계됐다. 그 결과, 미세 공정에서도 반복성과 재현성이 높은 바이어스 설계가 가능해졌다.

이와 같은 바이어싱 안정성 개선은 송신부 RF 전력 증폭기의 선형성을 높이고 출력 변동을 줄이는 효과로 이어진다. 동시에 전력 효율을 향상시키고 시스템 전반의 동작 신뢰성을 강화해, 배터리 기반으로 구동되는 IoT 기기와 모바일, 저전력 무선 통신 장치에서 장시간 안정적인 사용 환경을 제공한다.

베렉스는 이번 특허를 통해 공정 미세화가 가속되는 차세대 CMOS 환경에서도 RF 성능을 안정적으로 확보할 수 있는 기술적 토대를 마련했다며, 개발 효율성과 제품 신뢰성을 동시에 높여 글로벌 RFIC 시장에서 경쟁력을 지속적으로 강화해 나갈 계획이라고 밝혔다.

한편 베렉스는 2004년 설립된 무선통신 반도체 전문 벤처기업으로, 이동통신 기지국 및 다양한 무선 통신 시스템에 적용되는 RFIC를 기획·개발·생산·판매하고 있다. 다수의 핵심 특허를 기반으로 기술 경쟁력을 확보해 왔으며, 2007년 이후 지속적인 수익 창출을 통해 무차입 경영을 이어가고 있다. 2008년에는 미국 캘리포니아 산호세에 100% 자회사 BeRex, Inc.를 설립해 해외 시장에 진출했으며, 2019년에는 IoT 반도체 기업 옥토테크를 인수해 사업 영역을 확장했다. 현재는 화합물 반도체뿐 아니라 SiGe 및 SOI 기반 반도체 기술까지 포트폴리오를 다각화하며, 국내외 연구소를 중심으로 글로벌 시장 대응 역량을 강화하고 있다.